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MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。
随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。
高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准的卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：
Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
Type 2：5.5mm的厚度，通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。
Type 3：10.5mm的厚度，被运用为连接硬盘的ATA接口。
Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于数字相机。
FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
重新标示过的内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块，所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过，使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来，业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品，最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
内存的充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类，而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。
动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内的资料。
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。
SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术；它运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传输的时间，故可提升计算机效率。
DDR：DDR 是一种更高速的同步内存，DDR SDRAM为168PIN的DIMM模块，它比SDRAM的传输速率更快， DDR的设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统。
DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它的速度约一般DRAM的10倍以上，虽有这样强的效能，但使用后内存控制器需要相当大的改变，所以目前这一类的内存大多使用在游戏机器或者专业的图形加速适配卡上。
VRAM (Video RAM)：与DRAM最大的不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料。
WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式。
MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的内部分成数个各别不同的小储存库 (BANK)，也就是数个属立的小单位矩阵所构成。每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中。
静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory 的缩写，通常比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取。因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存。
Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机的系统时脉外。 (责任编辑：电脑知识大全) |
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